大学物理 ›› 2018, Vol. 37 ›› Issue (5): 39-43.doi: 10.16854 /j.cnki.1000-0712.170484

• 教学讨论 • 上一篇    下一篇

单层与多层MoS2对Goos-Hänchen位移的调制

贾光一,霍亦琦,刘玉环,张雪花   

  1. 天津商业大学理学院物理系,天津300134
  • 收稿日期:2017-08-22 修回日期:2017-12-03 出版日期:2018-05-20 发布日期:2018-05-20
  • 作者简介:贾光一(1987—),男,河北辛集人,天津商业大学应用物理学系讲师,博士,主要从事薄膜物理和二维材料
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(11647043)、天津市教育科学" 十三五" 规划课题(HE1008)、天津商业大学大学生创新训练计划项目共同资助

Goos-Hanchen shift modified bymonolayer and multilayer MoS2

JIA Guang-yi,HUO Yi-qi,LIU Yu-huan,ZHANG Xue-hua   

  1. Department of Physics,School of Science,Tianjin University of Commerce,Tianjin 300134,China
  • Received:2017-08-22 Revised:2017-12-03 Online:2018-05-20 Published:2018-05-20

摘要: 单层与多层MoS2 是一种新型的类石墨烯二维材料,其层数依赖的介电常数使其具有诸多可调的光学性质. 本文借助于传输矩阵理论,根据反射系数的相位角推导计算了Al2O3 /MoS2 /空气结构中的Goos-Hänchen(GH) 位移,并分析了单层与多层MoS2 对GH 位移的影响. 研究结果表明,在不同的入射角范围内,GH 位移随MoS2 层数的变化表现出不同的依赖行为.

关键词: 单层与多层MoS2, Goos-Hänchen位移, 全反射

Abstract: As one of graphene analogues,monolayer or multilayer MoS2 is one kind of new two-dimensional materials. It has many tunable optical properties due to its layer-dependent dielectric constants. According to transfer matrix method,we derive the Goos-Hänchen(GH) shift in the structure of Al2O3 /MoS2 /air by the phase angle of reflection coefficient,and analyze the influence of layer number of MoS2 on the GH shift. The results reveal that the GH shift exhibits different dependent behaviors on the layer number of MoS2 in different incident-angle ranges.

Key words: monolayer and multilayer MoS2 ,  Goos-Hänchen, total reflection