摘要: 单层与多层MoS2 是一种新型的类石墨烯二维材料,其层数依赖的介电常数使其具有诸多可调的光学性质. 本文借助于传输矩阵理论,根据反射系数的相位角推导计算了Al2O3 /MoS2 /空气结构中的Goos-Hänchen(GH) 位移,并分析了单层与多层MoS2 对GH 位移的影响. 研究结果表明,在不同的入射角范围内,GH 位移随MoS2 层数的变化表现出不同的依赖行为.
贾光一,霍亦琦,刘玉环,张雪花. 单层与多层MoS2对Goos-Hänchen位移的调制[J]. 大学物理, 2018, 37(5): 39-43.
JIA Guang-yi,HUO Yi-qi,LIU Yu-huan,ZHANG Xue-hua. Goos-Hanchen shift modified bymonolayer and multilayer MoS2[J]. College Physics, 2018, 37(5): 39-43.